KLAMKA - MIKROFALOWE PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE

19-10-2014, 21:10
Aukcja w czasie sprawdzania była zakończona.

Cena kup teraz: 15 zł Aktualna cena: 9.99 zł

Użytkownik net-mart

numer aukcji: 4685646882

Miejscowość Opole

Koniec: 19-10-2014 20:49:55

Dodatkowe informacje:
Stan: Używany
Okładka: miękka
Rok wydania (xxxx): 1982

"MIKROFALOWE PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE" , J.KLAMKA; WNT 1982 ; nakład : 5 000; stan : plus db : pieczątki ; przesyłka polecona : 9,30 zł.

SPIS TREŚCI :

Wykaz ważniejszych oznaczeń.............. 7

1. Wstęp........................... 13

2. Materiały i procesy technologiczne stosowane w mikrofalowych przyrządach półprzewodnikowych...... 16
2.1. Podstawowe materiały i ich właściwości...... 16
2.2. Ważniejsze procesy technologiczne.................. 22

3. Waraktory.............................. 37
3.1. Zasada działania waraktorów.................... 37
3.1.1. Pojemność skokowego złącza p-n................... 39
3.1.2. Pojemność liniowego złącza p-n.................... 41
3.1.3. Pojemność złącza p-n o specjalnym profilu domieszkowania...... 43
3.1.4. Pojemność dyfuzyjna złącza p-n................... 45
3.2. Parametry i właściwości waraktorów...................46
3.2.1. Rezystancja szeregowa....................... 46
3.2.2. Schemat zastępczy i częstotliwość graniczna.............. 52
3.2.3. Szumy waraktorów..................... 55
3.2.4. Wpływ temperatury na parametry waraktorów... 56
3.3. Konstrukcja i technologia waraktorów................ 60

4. Diody ze złączem metal-półprzewodnik................. 67
4.1. Zasada działania diod ze złączem metal-półprzewodnik......... 68
4.2. Konstrukcja i technologia diod ze złączem metal-półprzewodnik..... 78
4.2.1. Diody ostrzowe.......................... 78
4.2.2. Diody Schottky'ego.......................... 81

5. Diody tunelowe........................... 85
5.1. Zasada działania diod tunelowych.................. 86
5.2. Parametry i właściwości diod tunelowych............... 91
5.3. Konstrukcja i technologia diod tunelowych.............. 94

6. Diody wsteczne...........................99
6.1. Zasada działania diod wstecznych..................100
6.2. Konstrukcja i technologia diod wstecznych.............. 105

7. Diody ładunkowe..........................110
7.1. Zasada działania diody ładunkowej................. 111
7.2. Parametry i właściwości diod ładunkowych.............. 117
7.3. Konstrukcja i technologia diod ładunkowych.............119

8. Diody pin............................. 123
8.1. Zasada działania diod pin......................124
8.2. Parametry i właściwości diod pin.................. 129
8.3. Konstrukcja i technologia diod pin..................136

9. Diody lawinowe.........................140
9.1. Zasada działania i parametry diod lawinowych IMPATT....... . 141
9.1.1. Dioda Reada. ,..........................141
9.1.2. Inne rodzaje diod lawinowych z pojedynczym obszarem unoszenia.....146
9.1.3. Dioda z podwójnym obszarem unoszenia...............149
9.2. Zasada działania i parametry diod lawinowych TRAP ATT.......151
9.3. Konstrukcja i technologia diod lawinowych .............155
9.3.1. Diody o różnych strukturach złączowych.................155
9.3.2. Zagadnienie chłodzenia diod lawinowych...............159

10. Diody Gunna i LSA........................164
10.1. Zasada działania i parametry diod Gunna..............165
10.1.1. Objętościowa rezystywność ujemna...................165
10.1.2. Domena akumulacyjna i dipolowa.................168
10.1.3. Parametry diod Gunna.......................172
10.2. Zasada działania i parametry diod LSA............177
10.3. Konstrukcja i technologia diod Gunna i LSA.............181

11. Diody BARITT...................... .. 187
11.1. Zasada działania diod BARITT...................188
11.2. Parametry diod BARITT.......................193i
11.3. Konstrukcja i technologia diod BARITT........ ....196

12. Tranzystory mikrofalowe......................199
12.1. Właściwości tranzystorów bipolarnych i ich parametry.........200
12.2. Zasada działania i parametry tranzystorów polowych.........209
12.3. Konstrukcja i technologia tranzystorów bipolarnych......... . 217
12.4. Konstrukcja i technologia tranzystorów polowych...........224

13. Kierunki rozwoju mikrofalowych przyrządów półprzewodnikowych . . . . . 231

14. Diody mikrofalowe produkowane w kraju.................239

Wykaz literatury.............................249